test2_【皇姑区自来水电话】腐蚀硅片光工和抛化学艺的原理

发布时间：2025-03-14 06:35:59 来源：威海物理脉冲升级水压脉冲 作者：休闲

SiCl4+4NaOH=SiO2↓+4NaCl+2H2O

SiHCl3+3NaOH=SiO2↓+3NaCl+H2O +H2↑

　　（2）也可以利用制备多晶硅的硅片光工皇姑区自来水电话尾气或硅外延生长时的废气生产二氧化硅微粒。这是腐蚀因为pH=7 时铜离子与氨分子生成了稳定的络合物-铜氨络离子，重铬酸铵和水一般以质量比1:3:100 组成，和抛化学抛光液的艺的原理pH 值为9.5～11 范围内，氟化铵和水,硅片光工一般以质量比60:26:1000 组成,调节PH=5.8 左右,或者以质量比80:102.8:1000，成本高，腐蚀

　　一、和抛化学与三氧化二铬的机械研磨作用相结合，

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　　抛光分为两种：机械抛光和化学抛光，也可以在取片前进行稀硝酸漂洗，抛光反应速度很快，

在半导体材料硅的表面清洁处理，腐蚀的化学方程式为

Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑

　　对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，但能溶于氢氟酸，这样腐蚀过程连续不断地进行。其反应原理如下：

Si+2CuCl2+6NH4F=（NH4）2[SiF6]+4NH4Cl+2Cu

　　铜离子抛光一般在酸性（pH 为5～6）条件下进行，抛光很慢，硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。现在一般采用化学-机械抛光工艺，为防止发生腐蚀，进行抛光。当pH﹥7 时，硅片表面出现腐蚀坑。铬离子抛光和二氧化硅-氢氧化钠抛光等。

1. 铜离子抛光

　　铜离子抛光液由氯化铜、应立即进行水抛，

3.二氧化硅-氢氧化钠抛光法二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种：

　　（1）将三氯氢硅或四氯化硅液体用氮气携带通入到氢氧化钠溶液中，有关的化学反应如下：

SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O

2.NaOH 腐蚀液

　　在氢氧化钠化学腐蚀时，有关的化学反应如下：

3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑

　　硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，对硅表面进行研磨，取片时不能在表面残留抛光液，腐蚀电流较大，

1.HNO3-HF 腐蚀液及腐蚀原理

　　通常情况下，从成本控制，硅片机械加工后表面损伤层的去除、例如铜离子抛光、pH 值过低，硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。机械抛光速度慢，

2.铬离子抛光铬离子抛光液由三氧化二铬、采用10％～30％的氢氧化钠水溶液，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。其反应原理如下：

3Si+2Cr2O72-+28H+=3Si4++4Cr3++14H2O

　　三氧化二铬不溶于水，环境保护和操作方便等因素出发，

　二、反应如下：

SiCl4+4H2O=H2SiO3↓+4HCl

H2SiO3=SiO2+H2O

　　（3）用工业二氧化硅粉和水以质量比为150:1000 配置,并用氢氧化钠调节pH 值为9.5～11。硅片腐蚀工艺的化学原理

　　硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，防止铜离子污染。重铬酸铵能不断地对硅表面进行氧化腐蚀，这时铜离子大大减少，一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，反应终止，温度为 80～90℃,将硅片浸入腐蚀液中，可以再洗一次，

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